TCXO調(diào)整晶體振蕩器的頻率，以補(bǔ)償由于溫度變化而發(fā)生的變化。為此，TCXO的主要元件是貼片壓控晶振VCXO。如下圖所示，該電路連接到可感測溫度并向振蕩器施加小的校正電壓的電路。

構(gòu)成整個溫度控制振蕩器的因素有很多：

補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)：

補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)是整個系統(tǒng)運行的關(guān)鍵。上面顯示了振蕩器溫度頻率響應(yīng)的近似曲線。實際曲線可以近似地以三階多項式的形式表示，盡管更精確的表示考慮了一些非線性，并且計算出接近五階多項式。補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)需要感測溫度并產(chǎn)生與之相反的電壓。

高精度溫補(bǔ)晶振TCXO的早期電子設(shè)計使用模擬電路，并且經(jīng)常直接使用包括電容器，電阻器和熱敏電阻的電子組件網(wǎng)絡(luò)來直接控制振蕩頻率。這種類型的電路包括補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)圖上的方框和晶體頻率拉動方框。即使在今天，也有一些基于模擬的更簡單的TCXO。

當(dāng)前，技術(shù)通常采用間接方法，其中在補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)中感測溫度，并且產(chǎn)生電壓，該電壓提供與溫度曲線相反的頻率變化。這可以通過使用一些相對簡單的數(shù)字處理來實現(xiàn)，通過使用溫度與晶體溫度成反比的PROM或其他存儲器，可以提供更好的線性化。這樣可以使曲線的所有部分正確地線性化。

通常，盡管有變化，所以一個單元到另一個單元的晶體曲線相對相似，因此可能會有一點折衷。使用PROM方法可以為每個單獨的晶體生成曲線，盡管這會大大增加成本。

在許多情況下，處理電路都包含在特殊的ASIC中，以使其能夠針對應(yīng)用進(jìn)行定制，同時在電流消耗方面優(yōu)化性能。

振蕩器上拉電路：

一旦產(chǎn)生電壓，就將其施加到可以上拉晶體振蕩器頻率的電路上。通常，RF電路設(shè)計包含一個變?nèi)荻O管和一些低通濾波。

通常，可以將振蕩器拉至*大±50ppm，因為這應(yīng)提供足夠的范圍以適應(yīng)溫度范圍內(nèi)的頻率變化。此外，大多數(shù)TCXO都具有調(diào)整頻率以適應(yīng)老化的能力。這也需要容納在晶體振蕩器的拉動范圍內(nèi)。

晶體振蕩器：

該振蕩器電路通常是一種標(biāo)準(zhǔn)的RF電路設(shè)計，但旨在提供具有理想驅(qū)動電平的晶體的工作條件等。

晶體振蕩器旨在實現(xiàn)*佳性能。反饋電平經(jīng)過優(yōu)化，可在穩(wěn)定性，相位噪聲和無雜散信號方面提供*佳性能-晶體可以多種模式進(jìn)行激勵，因此需要優(yōu)化電路以確保雜散信號電平較低。產(chǎn)生。為此的一個關(guān)鍵要素是具有相對較低的反饋水平，但足以確保電路的可靠運行。過多的反饋趨于激發(fā)石英晶體中不需要的模式。

振蕩器的范圍可以在可靠的操作，性能和振蕩器可以調(diào)整的范圍之間取得平衡。調(diào)整范圍受到性能降低的限制。如果晶體具有很高的Q元素，則只能在性能下降之前將振蕩頻率修整一定的量。

穩(wěn)壓器：

為了防止外部電壓變化引入不必要的頻率偏移，整個TCXO均應(yīng)集成穩(wěn)壓器，而穩(wěn)壓器本身不應(yīng)引入有害的溫度影響。

除此之外，穩(wěn)壓器的輸出應(yīng)具有非常低的噪聲。這是因為任何噪聲，尖峰等都將傾向于以相位噪聲的形式出現(xiàn)在輸出上。這些振蕩器通常用于需要合理或低水平相位噪聲的應(yīng)用中。因此，電壓調(diào)節(jié)器的性能非常重要。

緩沖放大器：

電子電路設(shè)計中需要緩沖放大器，以增加對輸出的驅(qū)動。盡管增加了一些附加的電子元件，但它將為晶體振蕩器本身提供隔離，使其免受可能看到的任何外部負(fù)載變化的影響。這將大大提高穩(wěn)定性，防止實際負(fù)載以任何方式拉高頻率。

另外，TCXO通常具有外部調(diào)節(jié)功能，可以定期重置頻率。這使得能夠消除晶體老化的影響。校準(zhǔn)調(diào)整之間的時間間隔取決于所需的精度，但通常可能為六個月或一年。如果需要非常高的精度，則可以使用更短的時間。